1. MJW21192G
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厂商型号

MJW21192G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 8A 150V 100W NPN

内部编号

277-MJW21192G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:45
最小起订量:1
美国加州
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MJW21192G产品详细规格

规格书 MJW21192G datasheet 规格书
MJW21191, 92
MJW21192G datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 07/Jul/2010
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装 30
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 8A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 150V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2V @ 1.6A, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 15 @ 4A, 2V
功率 - 最大 125W
频率转换 4MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
包装材料 Tube
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极 - 基极电压VCBO 150 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 150 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 150 V
集电极最大直流电流 8 A
增益带宽产品fT 4 MHz
直流集电极/增益hfe最小值 15
最高工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-247-3
连续集电极电流 8 A
最大功率耗散 125 W
最低工作温度 - 65 C
封装 Tube
工厂包装数量 30
寿命 End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer.
集电极最大直流电流 8
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 4(Min)
包装宽度 5.3(Max)
PCB 3
最大功率耗散 125000
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 150
最低工作温度 -65
供应商封装形式 TO-247
标准包装名称 TO-247
最高工作温度 150
包装长度 16.26(Max)
最大集电极发射极电压 150
最小直流电流增益 15@4A@2V|5@8A@2V
包装高度 21.08(Max)
最大基地发射极电压 5
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 8A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 4MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 1.6A, 8A
电流 - 集电极截止(最大) 10µA
标准包装 30
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 150V
供应商设备封装 TO-247
功率 - 最大 125W
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 4A, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
associated 657-25ABPE

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